东芝新型DTMOS功率MOSFET最大导通电阻仅03Ω

  东芝(Toshiba)公司日前宣布推出一种被命名为DTMOS的新式功率MOSFET。由于拥有垂直通道,超结合技术结构(Super Junction Structure)允许电流在硅衬底顺利流通,从而降低了导通电阻。在应用超结合技术结构和优化设备的基础上,同系列的东芝DTMOS设备与东芝传统的MOSFET相比,导通电阻的栅极电荷(Qg)减少40%。

  首款采用DTMOS技术的产品是TK15A60S,它定位于电视机电源稳压器家用电器、交流电适配器、照明镇流器等应用。东芝公司将于近日发布最新MOSFET样品,将在2005年4月投入生产。